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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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结果: 687

已应用过滤器:

制造商

晶体管极性

技术

Id-连续漏极电流

Vds-漏源极击穿电压

Rds On-漏源导通电阻

工作频率

增益

输出功率

最小工作温度

最大工作温度

安装风格

封装 / 箱体

封装

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在售

新产品

符合RoHS

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零件编号

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB

MRF148A
MACOM
1: ¥1,488.7185
1,027库存量

制造商零件编号
MRF148A

Mouser 零件编号
937-MRF148A

MACOM

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB

了解更多的信息

数据表

1,027库存量

¥1,488.7185

¥1,244.0509

报价

最低： 1
倍数： 1

N-Channel

6 A

125 V

175 MHz

18 dB

30 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

211-07-3

Tray

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Matched pair Transistors

MRF150MP
MACOM
1: ¥4,929.5459
163库存量
250预期 2026/7/28

制造商零件编号
MRF150MP

Mouser 零件编号
937-MRF150MP

MACOM

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Matched pair Transistors

数据表

163库存量

250预期 2026/7/28

¥4,929.5459

¥4,263.0945

最低： 1
倍数： 1

N-Channel

16 A

125 V

150 MHz

17 dB

150 W

+ 200 C

SMD/SMT

221-11-3

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

SD2931-11W
STMicroelectronics
1: ¥723.0983
226库存量

制造商零件编号
SD2931-11W

Mouser 零件编号
511-SD2931-11W

STMicroelectronics

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

数据表

226库存量

¥723.0983

¥587.4531

¥539.4733

报价

最低： 1
倍数： 1

N-Channel

20 A

125 V

175 MHz

14 dB

150 W

+ 200 C

Screw Mount

Bulk

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

MWT-PH11F
CML Micro
10: ¥1,037.4417
90库存量

制造商零件编号
MWT-PH11F

Mouser 零件编号
938-MWT-PH11F

CML Micro

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

了解更多的信息

数据表

90库存量

¥1,037.4417

¥984.7272

¥984.2978

查看

最低： 10
倍数： 10

GaAs

440 mA to 800 mA

8 V

12 GHz

9 dB

32 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD54008-E
STMicroelectronics
1: ¥126.221
1,546库存量

制造商零件编号
PD54008-E

Mouser 零件编号
511-PD54008-E

STMicroelectronics

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

数据表

1,546库存量

¥126.221

¥89.3378

¥82.6369

¥82.5465

报价

最低： 1
倍数： 1

N-Channel

5 A

25 V

1 GHz

11.5 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

PD57060-E
STMicroelectronics
1: ¥464.7012
860库存量

制造商零件编号
PD57060-E

Mouser 零件编号
511-PD57060-E

STMicroelectronics

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

数据表

860库存量

¥464.7012

¥400.5963

¥386.121

最低： 1
倍数： 1

N-Channel

7 A

65 V

1 GHz

14.3 dB

60 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1

ARF1501
Microchip Technology
1: ¥2,692.6544
60库存量

制造商零件编号
ARF1501

Mouser 零件编号
494-ARF1501

Microchip Technology

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1

数据表

60库存量

¥2,692.6544

最低： 1
倍数： 1

N-Channel

30 A

1 kV

40 MHz

17 dB

750 W

- 55 C

+ 175 C

Screw Mount

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS

PD55008-E
STMicroelectronics
1: ¥144.8321
1,463库存量

制造商零件编号
PD55008-E

Mouser 零件编号
511-PD55008-E

STMicroelectronics

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS

数据表

1,463库存量

¥144.8321

¥103.1464

¥94.9539

¥94.6262

查看

最低： 1
倍数： 1

N-Channel

4 A

40 V

1 GHz

17 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor

PD54008L-E
STMicroelectronics
1: ¥69.3142
3,776库存量

制造商零件编号
PD54008L-E

Mouser 零件编号
511-PD54008L-E

STMicroelectronics

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor

数据表

3,776库存量

剪切带

¥69.3142

¥49.8782

¥43.5954

¥43.505

卷轴

¥39.5387

报价

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 3,000

N-Channel

5 A

25 V

1 GHz

15 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerFLAT (5x5)

Reel, Cut Tape, MouseReel

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS

PD55003-E
STMicroelectronics
1: ¥93.8804
6,422库存量

制造商零件编号
PD55003-E

Mouser 零件编号
511-PD55003-E

STMicroelectronics

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS

数据表

6,422库存量

¥93.8804

¥65.3479

¥60.2177

¥59.551

¥58.647

最低： 1
倍数： 1

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB

MRF158
MACOM
1: ¥827.4086
534库存量

制造商零件编号
MRF158

Mouser 零件编号
937-MRF158

MACOM

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB

了解更多的信息

数据表

534库存量

¥827.4086

¥688.283

¥626.9014

最低： 1
倍数： 1

N-Channel

500 mA

65 V

500 MHz

18 dB

2 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

305A-01

Tray

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

ARF460BG
Microchip Technology
1: ¥465.7747
69库存量

制造商零件编号
ARF460BG

Mouser 零件编号
494-ARF460BG

Microchip Technology

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

数据表

69库存量

¥465.7747

¥464.1249

¥404.5626

¥321.8466

最低： 1
倍数： 1

N-Channel

14 A

500 V

65 MHz

13 dB

150 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H

MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
1: ¥2,377.2262
无库存交货期 53 周
寿命结束

制造商零件编号
MRFE6VP5600HR6

Mouser 零件编号
841-MRFE6VP5600HR6

寿命结束

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H

数据表

无库存交货期 53 周

剪切带

¥2,377.2262

¥2,128.4793

卷轴

¥2,128.4793

查看

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 150

N-Channel

130 V

1.8 MHz to 600 MHz

25 dB

600 W

+ 150 C

SMD/SMT

NI-1230

Reel, Cut Tape, MouseReel

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMT Low Noise Amplifier, 10 MHz - 4 GHz

TAV1-331NM+
Mini-Circuits
1: ¥177.5117
408库存量

制造商零件编号
TAV1-331NM+

Mouser 零件编号
139-TAV1-331NM+

Mini-Circuits

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMT Low Noise Amplifier, 10 MHz - 4 GHz

了解更多的信息

数据表

408库存量

剪切带

¥177.5117

¥23.0746

¥21.5943

卷轴

¥20.679

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 500

N-Channel

GaAs

60 mA

4 V

10 MHz to 4 GHz

12.3 dB

21.5 dBm

- 40 C

+ 85 C

SMD/SMT

1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm

Reel, Cut Tape, MouseReel

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB

UF28150J
MACOM
1: ¥5,032.3533
10库存量
30预期 2026/5/28

制造商零件编号
UF28150J

Mouser 零件编号
937-UF28150J

MACOM

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB

数据表

10库存量

30预期 2026/5/28

¥5,032.3533

¥4,352.0142

最低： 1
倍数： 1

N-Channel

16 A

65 V

100 MHz to 500 MHz

8 dB

150 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

375-04

Tray

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor

PD55015S-E
STMicroelectronics
1: ¥190.744
228库存量

制造商零件编号
PD55015S-E

Mouser 零件编号
511-PD55015S-E

STMicroelectronics

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor

数据表

228库存量

¥190.744

¥156.0869

¥137.8826

¥128.707

最低： 1
倍数： 1

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB

UF28100V
MACOM
1: ¥2,970.657
14库存量

制造商零件编号
UF28100V

Mouser 零件编号
937-UF28100V

MACOM

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB

数据表

14库存量

¥2,970.657

¥2,508.5322

报价

最低： 1
倍数： 1

N-Channel

12 A

65 V

100 MHz to 500 MHz

10 dB

100 W

- 55 C

+ 150 C

SMD/SMT

744A-01

Tray

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS250/SOT1270/REELDP

BLC2425M10LS250Y
Ampleon
1: ¥1,004.5813
39库存量
Mouser 的新产品

制造商零件编号
BLC2425M10LS250Y

Mouser 零件编号
94-BLC2425M10LS250Y

Mouser 的新产品

Ampleon

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS250/SOT1270/REELDP

数据表

39库存量

剪切带

¥1,004.5813

¥835.6011

卷轴

¥760.9872

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 100

N-Channel

LDMOS

65 V

40.5 mOhms

2.4 GHz to 2.5 GHz

14.4 dB

250 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT1270-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz

TAV1-541NM+
Mini-Circuits
1: ¥147.6458
477库存量

制造商零件编号
TAV1-541NM+

Mouser 零件编号
139-TAV1-541NM+

Mini-Circuits

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz

了解更多的信息

数据表

477库存量

剪切带

¥147.6458

¥21.5039

¥20.5999

¥17.6167

卷轴

¥17.2099

查看

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 500

N-Channel

GaAs

60 mA

4 V

45 MHz to 6 GHz

8.9 dB

20.3 dBm

- 40 C

+ 85 C

SMD/SMT

1.4 mm x 1.2 mm

Reel, Cut Tape, MouseReel

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor

PD55015-E
STMicroelectronics
1: ¥192.3147
165库存量

制造商零件编号
PD55015-E

Mouser 零件编号
511-PD55015-E

STMicroelectronics

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor

数据表

165库存量

¥192.3147

¥138.877

¥129.1251

¥128.707

最低： 1
倍数： 1

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp

SD57045
STMicroelectronics
1: ¥851.0595
51库存量

制造商零件编号
SD57045

Mouser 零件编号
511-SD57045

STMicroelectronics

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp

数据表

51库存量

¥851.0595

¥679.1865

¥644.7667

最低： 1
倍数： 1

N-Channel

5 A

65 V

1 GHz

13 dB

45 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

M243

Bulk

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS

MRF174
MACOM
1: ¥1,311.5458
70库存量

制造商零件编号
MRF174

Mouser 零件编号
937-MRF174

MACOM

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS

数据表

70库存量

¥1,311.5458

¥1,095.987

报价

最低： 1
倍数： 1

N-Channel

13 A

65 V

200 MHz

9 dB

125 W

- 65 C

+ 200 C

Screw Mount

211-07

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

MWT-PH8F
CML Micro
10: ¥788.8756
100库存量

制造商零件编号
MWT-PH8F

Mouser 零件编号
938-MWT-PH8F

CML Micro

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

了解更多的信息

数据表

100库存量

¥788.8756

¥788.7061

¥729.9009

查看

最低： 10
倍数： 10

GaAs

250 mA to 300 mA

8 V

18 GHz

11 dB

30 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz

SD2943W
STMicroelectronics
1: ¥1,305.0935
71库存量

制造商零件编号
SD2943W

Mouser 零件编号
511-SD2943W

STMicroelectronics

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz

数据表

71库存量

¥1,305.0935

¥995.7334

查看

最低： 1
倍数： 1

Bulk

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB

MRF157
MACOM
1: ¥9,747.2557
8库存量

制造商零件编号
MRF157

Mouser 零件编号
937-MRF157

MACOM

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB

了解更多的信息

数据表

8库存量

¥9,747.2557

最低： 1
倍数： 1

N-Channel

60 A

125 V

80 MHz

21 dB

600 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

Tray

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

昴氏(上海)电子贸易有限公司

公司

资源

支持

1.4 uA
774 uA
1 mA
1.27 mA
1.93 mA
6 mA
10 mA
15 mA
26 mA
40 mA to 60 mA
50 mA
60 mA
60 mA to 80 mA
64 mA
85 mA
90 mA to 120 mA
100 mA
120 mA
125 mA
150 mA

3 V
4 V
4.5 V
6.5 V
7.5 V
8 V
10 V
12 V
12.5 V
20 V
25 V
28 V
30 V
32 V
40 V
48 V
50 V
52 V
55 V
60 V

26 mOhms
30 mOhms
35 mOhms
40.5 mOhms
43 mOhms
45.5 mOhms
50 mOhms
52.5 mOhms
54 mOhms
54.7 mOhms, 111 mOhms
57.4 mOhms, 111 mOhms
57.5 mOhms
58.4 mOhms, 111 mOhms
60 mOhms
60 mOhms, 90 mOhms
62 mOhms, 108 mOhms
65 mOhms, 111 Ohms
65 mOhms, 111 mOhms
65.26 mOhms, 126.67 mOhms
65.3 mOhms, 111 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz
0 Hz to 7 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 2 GHz
1 MHz to 400 MHz
1 MHz to 425 MHz
1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
1.215 MHz to 960 MHz
1.8 MHz to 2 GHz
1.8 MHz to 250 MHz
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 MHz to 50 MHz
1.8 MHz to 500 MHz
1.8 MHz to 512 MHz
1.8 MHz to 600 MHz
2 MHz to 175 MHz

6.4 dB
8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
11 dB
11.2 dB
11.5 dB
12 bB
12 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.3 dB
13.4 dB
13.5 dB

200 mW
2 W
2.2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
6.5 W
7.3 W
8 W
10 W
12 W
14 W
15 W
16 W
16 dBm
18 W
20 W
20 dBm
20.3 dBm

1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
211-07
211-07-3
221-11-3
244-4
249-06
305A-01
319-07
333-04
333-4
368-3
375-04
744A-01
A2-3
ACC-1230-6F-2-7
ACC-1230-6F-3-7
ACC-1230-6G-2-7
B2-3
B4E-5