PD57018STR-E

STMicroelectronics
511-PD57018STR-E
PD57018STR-E

制造商：

说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数据表:
ECAD模型:
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供货情况

库存：
无库存
生产周期：
23 周 预计工厂生产时间。
最少： 600   倍数： 600
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
整卷卷轴（请按600的倍数订购）
¥173.6245 ¥104,174.70

备用包装

制造商零件编号:
PD57018S-E
包装:
Tube
供货情况:
库存量
单价:
¥224.5762
最小:
1

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:  
N-Channel
Si
2.5 A
65 V
760 mOhms
1 GHz
16.5 dB
18 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Straight-4
Reel
商标: STMicroelectronics
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 31.7 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: PD57018-E
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: + 20 V
单位重量: 3 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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