RF2L16180CB4

STMicroelectronics
511-RF2L16180CB4
RF2L16180CB4

制造商：

说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
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¥-.--
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封装:
整卷卷轴（请按120的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥1,426.7719 ¥1,426.77
¥1,158.1935 ¥11,581.94
整卷卷轴（请按120的倍数订购）
¥1,086.8905 ¥130,426.86
480 报价
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:  
N-Channel
Si
2.5 A
65 V
1 Ohms
1.6 GHz
14 dB
180 W
+ 200 C
SMD/SMT
B4E-5
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
通道数量: 1 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 120
子类别: MOSFETs
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
单位重量: 4 g
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已选择的属性: 0

数据表

EOL

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RFxL射频功率LDMOS晶体管

STMicroelectronics RFxL射频功率LDMOS晶体管具有高性能，设计用于具有不同频段的多种应用。RFxL射频功率晶体管采用B4E、B2和LBB封装。

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