RF2L36075CF2

Name: STMicroelectronics RF2L36075CF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-RF2L36075CF2
Price: 1154.58 RMB
Availability: Discontinued

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Mouser编号：

511-RF2L36075CF2

制造商编号：

RF2L36075CF2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor

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数据表:

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按120的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥1,304.6754	¥1,304.68
	¥1,002.2648	¥10,022.65
整卷卷轴（请按120的倍数订购）
	¥1,002.2648	¥120,271.78

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:
晶体管极性:	N-Channel
技术:	Si
Id-连续漏极电流:	2.5 A
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Rds On-漏源导通电阻:	1 Ohms
工作频率:	3.5 GHz
增益:	12.5 dB
输出功率:	75 W
最大工作温度:	+ 200 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	B2-3
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
湿度敏感性:	Yes
通道数量:	1 Channel
产品类型:	RF MOSFET Transistors
工厂包装数量:	120
子类别:	MOSFETs
类型:	RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压:	+ 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
单位重量:	3 g