SCT012H90G3AG

STMicroelectronics
511-SCT012H90G3AG
SCT012H90G3AG

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
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11
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1,000
预期 2027/5/21
生产周期：
21
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥182.0543 ¥182.05
¥130.6054 ¥1,306.05
¥118.6161 ¥11,861.61
¥118.537 ¥59,268.50
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥112.2429 ¥112,242.90

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
H2PAK-7
N-Channel
1 Channel
900 V
110 A
12 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.2 V
138 nC
- 55 C
+ 175 C
625 W
Enhancement
AEC-Q101
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 30 ns
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: MOSFETs
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 47 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: silicon carbide Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 82 ns
典型接通延迟时间: 37 ns
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已选择的属性: 0

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
意大利
组装原产国/地区:
意大利
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

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