您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

SCT012H90G3AG

Name: STMicroelectronics SCT012H90G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT012H90G3AG
Price: 170.78 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-SCT012H90G3AG

制造商编号：

SCT012H90G3AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

完成您的设计

数据表:

SCT012H90G3AG 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解STMicroelectronics SCT012H90G3AG详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	H2PAK-7
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	900 V
Id-连续漏极电流:	110 A
Rds On-漏源导通电阻:	12 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 18 V, + 18 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.2 V
Qg-栅极电荷:	138 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	625 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	30 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	MOSFETs
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	47 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	silicon carbide Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	82 ns
典型接通延迟时间:	37 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

SCT012H90G3AG 数据表 (PDF)

PCN

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 意大利
组装原产国/地区:: 意大利
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻R_DS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。