SCT040H65G3AG

STMicroelectronics
511-SCT040H65G3AG
SCT040H65G3AG

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
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最少： 1   倍数： 1
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¥-.--
总价:
¥-.--
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封装:
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥93.6318 ¥93.63
¥64.8507 ¥648.51
¥54.7598 ¥5,475.98
¥54.6807 ¥27,340.35
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥44.748 ¥44,748.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
650 V
30 A
40 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.2 V
39.5 nC
- 55 C
+ 175 C
221 W
Enhancement
AEC-Q101
商标: STMicroelectronics
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品: MOSFETs
产品类型: SiC MOSFETS
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
技术: SiC
找到的产品:
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已选择的属性: 0

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650碳化硅 (SiC) MOSFET

STMicroelectronics 650碳化硅 (SiC) MOSFET具有极低的每区域导通电阻 (RDS(on)) 以及出色的开关性能。这样即可实现更加高效、紧凑的系统。与硅MOSFET相比，碳化硅MOSFET即使在高温下也具有较低的每区域导通电阻。与各种温度范围内的优秀IGBT相比，碳化硅MOSFET还具有出色的开关性能。这样可以简化电力电子系统的热设计。

碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻RDS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。

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