SCT040W65G3-4

STMicroelectronics
511-SCT040W65G3-4
SCT040W65G3-4

制造商:

说明:
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 537

库存:
537 可立即发货
生产周期:
22 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥95.5415 ¥95.54
¥57.3249 ¥573.25
¥51.1212 ¥30,672.72
¥48.5561 ¥58,267.32

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
30 A
63 mOhms
- 10 V, + 22 V
3 V
37.5 nC
- 55 C
+ 200 C
240 W
Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: IT
下降时间: 19 ns
封装: Tube
产品: SiC MOSFETS
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 7.4 ns
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 29.6 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99