SCT040W65G3-4

Name: STMicroelectronics SCT040W65G3-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT040W65G3-4
Price: 84.47 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-SCT040W65G3-4

制造商编号：

SCT040W65G3-4

制造商：

STMicroelectronics

说明：

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	HiP247-4
Transistor Polarity:	N-Channel
Number of Channels:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id - Continuous Drain Current:	30 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	63 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Qg - Gate Charge:	37.5 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 200 C
Pd - Power Dissipation:	240 W
Channel Mode:	Enhancement
Brand:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Fall Time:	19 ns
Packaging:	Tube
Product:	SiC MOSFETS
Product Type:	SiC MOSFETS
Rise Time:	7.4 ns
工厂包装数量:	600
Subcategory:	Transistors
Technology:	SiC
Typical Turn-Off Delay Time:	29.6 ns
Typical Turn-On Delay Time:	13 ns

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 意大利
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

650碳化硅 (SiC) MOSFET

STMicroelectronics 650碳化硅 (SiC) MOSFET具有极低的每区域导通电阻 (R_DS(on)) 以及出色的开关性能。这样即可实现更加高效、紧凑的系统。与硅MOSFET相比，碳化硅MOSFET即使在高温下也具有较低的每区域导通电阻。与各种温度范围内的优秀IGBT相比，碳化硅MOSFET还具有出色的开关性能。这样可以简化电力电子系统的热设计。

碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻R_DS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。