SGT080R70ILB

STMicroelectronics
511-SGT080R70ILB
SGT080R70ILB

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
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库存量: 675

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥56.6582 ¥56.66
¥38.1375 ¥381.38
¥27.6285 ¥2,762.85
¥25.8883 ¥12,944.15
¥22.4983 ¥22,498.30
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥21.0971 ¥63,291.30
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-8
700 V
29 A
80 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
6.2 nC
- 55 C
+ 150 C
188 W
Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 4 ns
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品: FET
产品类型: GaN FETs
上升时间: 4 ns
系列: SGT
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
技术: GaN
类型: PowerGaN Transistor
典型关闭延迟时间: 5 ns
典型接通延迟时间: 3 ns
单位重量: 154 mg
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管

STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管是一款增强型晶体管，专为高效电源转换应用而设计。STMicroelectronics SGT080R70ILB的漏极-源极电压额定值为700V，典型导通电阻仅为80mΩ，它利用氮化镓 (GaN) 技术的卓越开关性能，最大限度地减少了导通损耗和开关损耗。该晶体管采用紧凑型PowerFLAT 8x8 HV封装，支持高频运行，非常适合用于谐振转换器、功率因数校正 (PFC) 级和直流-直流转换器。SGT080R70ILB具备低栅极电荷与低输出电容特性，可实现更快的转换和更少的能量损耗，因此非常适用于消费类电子产品、工业系统及数据中心等高要求应用。

PowerGaN E-Mode G-HEMT™晶体管

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™晶体管是一款高性能增强模式（常关型）GaN设备，旨在为要求苛刻的功率转换应用提供极快的开关速度、低导通损耗和大功率密度。这些晶体管利用氮化镓与宽禁带优势，实现了极低电容、最小栅极电荷和零反向恢复充电，从而实现了比传统硅功率开关更优异的效率。

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