SGT105R70ILB

STMicroelectronics
511-SGT105R70ILB
SGT105R70ILB

制造商:

说明:
GaN 场效应晶体管 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-8
700 V
21.7 A
105 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
4.8 nC
- 55 C
+ 150 C
158 W
Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品: FET
产品类型: GaN FETs
上升时间: 9 ns
系列: SGT
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
技术: GaN
类型: PowerGaN Transistor
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

PowerGaN E-Mode G-HEMT™晶体管

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™晶体管是一款高性能增强模式(常关型)GaN设备,旨在为要求苛刻的功率转换应用提供极快的开关速度、低导通损耗和大功率密度。这些晶体管利用氮化镓与宽禁带优势,实现了极低电容、最小栅极电荷和零反向恢复充电,从而实现了比传统硅功率开关更优异的效率。

库存量: 787

库存:
787 可立即发货
生产周期:
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥54.1835 ¥54.18
¥42.1038 ¥421.04
¥31.8434 ¥3,184.34
¥30.7699 ¥15,384.95
¥22.4192 ¥22,419.20
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥18.9388 ¥56,816.40
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。