SGT140R70ILB

STMicroelectronics
511-SGT140R70ILB
SGT140R70ILB

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-8
700 V
17 A
140 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
3.5 nC
- 55 C
+ 150 C
113 W
Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 4 ns
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品: FET
产品类型: GaN FETs
上升时间: 5 ns
系列: SGT
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
技术: GaN
类型: PowerGaN Transistor
典型关闭延迟时间: 3 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

PowerGaN E-Mode G-HEMT™晶体管

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™晶体管是一款高性能增强模式（常关型）GaN设备，旨在为要求苛刻的功率转换应用提供极快的开关速度、低导通损耗和大功率密度。这些晶体管利用氮化镓与宽禁带优势，实现了极低电容、最小栅极电荷和零反向恢复充电，从而实现了比传统硅功率开关更优异的效率。

库存量: 637

库存：
637 可立即发货
生产周期：
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥41.9343 ¥41.93
¥29.945 ¥299.45
¥22.4983 ¥2,249.83
¥21.6734 ¥10,836.70
¥18.3625 ¥18,362.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥15.5488 ¥46,646.40
9,000 报价
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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