STAC2942BW

STMicroelectronics
511-STAC2942BW
STAC2942BW

制造商：

说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
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560 报价

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:  
N-Channel
Si
40 A
130 V
250 MHz
21 dB
350 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
STAC244B
Bulk
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值: 5 s
Pd-功率耗散: 625 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: STAC2942B
工厂包装数量: 80
子类别: MOSFETs
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: + 20 V
单位重量: 145.152 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

STAC RF DMOS 晶体管

意法半导体 提供多种 RF DMOS 功率晶体管，用于从 1MHz 到 250MHz 频率范围的应用，如调频广播、工业、科学和医学应用。意法半导体提供多种 RF DMOS 功率晶体管，它们采用从 28 到 150V 电源电压工作。它们具有高峰值功率（高达 1.2kW）和高耐用性（无穷:1 的电压驻波比）。STAC® 气隙具有更强大的散热性和 RF 性能，可靠性一流。
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