STB47N60DM6AG

Name: STMicroelectronics STB47N60DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB47N60DM6AG
Price: 58.78 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-STB47N60DM6AG

制造商编号：

STB47N60DM6AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	36 A
Rds On-漏源导通电阻:	80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	55 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	250 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标名:	MDmesh
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	9 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	5.5 ns
系列:	STB47N60DM6AG
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	57 ns
典型接通延迟时间:	23 ns
单位重量:	1.380 g

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EOL

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 新加坡
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

DM6 N通道功率MOSFET

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