STD70N10F4

Name: STMicroelectronics STD70N10F4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD70N10F4
Price: 5.61 RMB
Availability: OutOfStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STD70N10F4

制造商编号：

STD70N10F4

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-Ch, 100V-0.015ohms 60A

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寿命周期:

寿命结束:

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	60 A
Rds On-漏源导通电阻:	19.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	85 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	125 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	STripFET
封装:	Reel
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	20 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	20 ns
系列:	STD70N10F4
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	65 ns
典型接通延迟时间:	30 ns
单位重量:	330 mg

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数据表

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EOL

Product Discontinuation Notification 2026-3-20 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 新加坡
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

STripFET™ DeepGATE™ Power MOSFET

The STMicroelectronics STripFET™ DeepGATE™ Power MOSFET uses an advanced technology tailored to minimizing on-state resistance, providing superior switching performance, and withstanding high energy pulse in avalanche and commutation mode. The STMicroelectronics STripFET DeepGATE Power MOSFET shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics, and fewer critical alignment steps. This STMicroelectronics power MOSFET is a cost-effective, high efficiency solution for motor control applications.