STD80N4F6

STMicroelectronics
511-STD80N4F6
STD80N4F6

制造商:

说明:
MOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
6 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
36 nC
- 55 C
+ 175 C
70 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 11.9 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 7.6 ns
系列: STD80N4F6
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 46.1 ns
典型接通延迟时间: 10.5 ns
单位重量: 330 mg
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

STripFET™ 功率 MOSFET

这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET,采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术:采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 RDS(on) 的特点,符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 RDS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
了解更多

STripFET VI™功率MOSFET

STMicroelectronics STripFET VI™功率MOSFET是采用STMicroelectronics专有STripFET™技术和新型栅极结构的增强模式MOSFET。该款受益于STripFET™技术的功率MOSFET采用沟槽技术,可实现高效率和低RDS(on) ,满足各种汽车和工业开关应用的需求,如电机控制、UPS、直流/直流转换器、感应加热蒸发器和太阳能。它们具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。

符合AEC-Q101标准的STripFET功率MOSFET

STMicroelectronics符合AEC-Q101标准的STripFET功率MOSFET采用ST专有的沟槽式低压技术,实现了非常低的导通损耗。这些功率MOSFET最大限度地降低了电气驱动器的通常能耗,从而提高了效率,使其适用于各种应用。这些器件采用行业标准TO-252和TO-263 SMD封装,RDS(on)范围为3mΩ至12.5mΩ,在大多数低压汽车应用中均具有出色性能。该系列产品包含标准和逻辑电平阈值。

库存量: 2,946

库存:
2,946 可立即发货
生产周期:
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥22.2497 ¥22.25
¥14.3058 ¥143.06
¥9.8423 ¥984.23
¥7.8535 ¥3,926.75
¥7.2659 ¥7,265.90
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)
¥6.7913 ¥16,978.25
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。