STDRIVEG611QTR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG611QTR
STDRIVEG611QTR

制造商：

说明：
栅极驱动器 High voltage, high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
完成您的设计

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解STMicroelectronics STDRIVEG611QTR详情
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

供货情况

库存：

备用包装

制造商零件编号:
STDRIVEG611Q
包装:
Tray
供货情况:
库存量
单价:
¥24.8939
最小:
1

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
发货限制：
 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
10.6 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
11 ns
22 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
商标: STMicroelectronics
输入电压 - 最大值: 20 V
输入电压 - 最小值: 3.3 V
最大关闭延迟时间: 60 ns
最大开启延迟时间: 60 ns
湿度敏感性: Yes
输出电压: 520 V
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 60 ns
Rds On-漏源导通电阻: 7 Ohms
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: GaN
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

STDRIVEG611半桥栅极驱动器

STMicroelectronics STDRIVEG611半桥栅极驱动器是用于N沟道增强模式GaN的高压半桥栅极驱动器。高侧驱动器部分设计能够承受高达600V的电压轨，并且可以轻松由集成自举二极管供电。大电流能力、短传播延迟、出色的延迟匹配以及集成低压差稳压器使STDRIVEG611成为驱动高速GaN的理想选择。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。