STGWA50IH65DF

Name: STMicroelectronics STGWA50IH65DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA50IH65DF
Price: 32.21 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STGWA50IH65DF

制造商编号：

STGWA50IH65DF

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.5 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	100 A
Pd-功率耗散:	300 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	HB2
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic:	100 A
栅极—射极漏泄电流:	250 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	600
子类别:	IGBTs
单位重量:	6.100 g

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

650V IH系列IGBT

STMicroelectronics 650V IH系列IGBT的效率高，用于感应加热系统和软开关应用。该IGBT属于STPOWER™系列，超过了HB系列，目前用于感应加热应用。650V IH系列具有较低V_CE(sat) 以及超低关闭能量，确保在最终应用中提高效率。现可提供采用TO-247长引线封装的40A和50A器件，20A和30A器件正在开发中。