STH80N10LF7-2AG

Name: STMicroelectronics STH80N10LF7-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH80N10LF7-2AG
Price: 22.69 RMB
Availability: Discontinued

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请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STH80N10LF7-2AG

制造商编号：

STH80N10LF7-2AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 packag

完成您的设计

寿命周期:

NRND:

不建议用于新设计。

数据表:

STH80N10LF7-2AG 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	H2PAK-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	80 A
Rds On-漏源导通电阻:	10 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	28.3 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	110 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	21 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	33 ns
系列:	STH80N10LF7-2AG
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	69.3 ns
典型接通延迟时间:	14.7 ns

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 不可用
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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供货情况

库存：: 无库存

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 22 周预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥25.6397	¥25.64
	¥16.7127	¥167.13
	¥11.4921	¥1,149.21
	¥9.5937	¥4,796.85
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥8.9383	¥8,938.30
	¥8.5993	¥17,198.60
	¥8.2716	¥41,358.00

STH80N10LF7-2AG

制造商： STMicroelectronics

说明： MOSFET N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 packag 完成您的设计

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