STHU32N65DM6AG

Name: STMicroelectronics STHU32N65DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STHU32N65DM6AG
Price: 35.79 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-STHU32N65DM6AG

制造商编号：

STHU32N65DM6AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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¥-.--

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按600的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥40.4427	¥40.44
	¥28.3743	¥283.74
	¥24.4871	¥2,448.71
整卷卷轴（请按600的倍数订购）
	¥23.4927	¥14,095.62
	¥22.5774	¥27,092.88
	¥22.2497	¥53,399.28

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	37 A
Rds On-漏源导通电阻:	97 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.75 V
Qg-栅极电荷:	52.6 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	320 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
单位重量:	2.320 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

DM6 N通道功率MOSFET

STMicroelectronics DM6 N通道功率MOSFET是MDmesh™ DM6快速恢复二极管的组成部分。该款汽车级N通道功率MOSFET具有极低恢复电荷 (Q_rr)、极短恢复时间 (t_rr) 以及低R_DS(on)。DM6功率MOSFET具有低栅极电荷、低输入电容、低导通电阻、高dv/dt耐受性及齐纳保护功能。该功率MOSFET适用于要求极为苛刻的高效转换器，并且是桥式拓扑和ZVS相移转换器的理想之选。