STL47N60M6

Name: STMicroelectronics STL47N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL47N60M6
Price: 49.41 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STL47N60M6

制造商编号：

STL47N60M6

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerFLAT-8x8-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	31 A
Rds On-漏源导通电阻:	80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.25 V
Qg-栅极电荷:	57 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	189 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	MOSFETs
系列:	Mdmesh M6
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
单位重量:	180 mg

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

MDmesh™ M6 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFET将低栅极电荷 (Q_g) 和经过优化的电容曲线相结合，设计用于在功率转换应用的全新拓扑中实现高效率。该超级结MDmesh™ M6系列具有可提高功率密度的极高效率，以及可在高频下的低栅极电荷。M6系列MOSFET的击穿电压范围为600V至700V。它们提供多种封装选项，包括无引线TO (TO-LL) 封装解决方案，可实现高效的热管理。该器件包括各种工作电压，适用于工业应用，包括充电器、适配器、银盒模块、LED照明、电信、服务器和太阳能。

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最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥55.8333	¥55.83
	¥29.6964	¥296.96
	¥27.1313	¥2,713.13
	¥25.312	¥12,656.00
	¥21.5039	¥21,503.90
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥20.679	¥62,037.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

STL47N60M6

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