STP10LN80K5

STMicroelectronics
511-STP10LN80K5
STP10LN80K5

制造商:

说明:
MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

ECAD模型:
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库存量: 1

库存:
1 可立即发货
生产周期:
14 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于1的订购须受最低订购要求的限制。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥32.7587 ¥32.76
¥16.4641 ¥164.64
¥14.9725 ¥1,497.25
¥12.2379 ¥6,118.95
¥11.2548 ¥11,254.80
¥10.8367 ¥21,673.40

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
8 A
630 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 13 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 10 ns
系列: STP10LN80K5
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 28 ns
典型接通延迟时间: 11.8 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
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要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

SuperMESH™ 高压 MOSFET

意法半导体 齐纳保护 SuperMESH™ 功率 MOSFETs 是对标准带式 PowerMESH™ 布线的终极优化。 意法半导体 SuperMESH MOSFET 大幅压低了导通电阻,同时为要求最高的应用确保了非常好的 dv/dt 性能。SuperMESH 器件有最低限度的栅极电荷,并100% 通过雪崩测试,同时还改进了 ESD 功能,并具有新的高压基准。这些意法半导体 MOSFET 可用于开关应用。
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