STP220N6F7

Name: STMicroelectronics STP220N6F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP220N6F7
Price: 22.84 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-STP220N6F7

制造商编号：

STP220N6F7

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 60 V, 2,1 Ohm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	120 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	100 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	237 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	STripFET
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	29 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	103 ns
系列:	STP220N6F7
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	54 ns
典型接通延迟时间:	33 ns
单位重量:	2 g

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数据表

STP220N6F7 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 意大利
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

STripFET™ 功率 MOSFET

这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET，采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术：采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 R_DS(on) 的特点，符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 R_DS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
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