STU3N65M6

Name: STMicroelectronics STU3N65M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STU3N65M6
Price: 15.15 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STU3N65M6

制造商编号：

STU3N65M6

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package

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寿命周期:

NRND:

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-251-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	3.5 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.25 V
Qg-栅极电荷:	6 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	45 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
系列:	Mdmesh M6
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
单位重量:	340 mg

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8542319000
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

MDmesh™ M6 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFET将低栅极电荷 (Q_g) 和经过优化的电容曲线相结合，设计用于在功率转换应用的全新拓扑中实现高效率。该超级结MDmesh™ M6系列具有可提高功率密度的极高效率，以及可在高频下的低栅极电荷。M6系列MOSFET的击穿电压范围为600V至700V。它们提供多种封装选项，包括无引线TO (TO-LL) 封装解决方案，可实现高效的热管理。该器件包括各种工作电压，适用于工业应用，包括充电器、适配器、银盒模块、LED照明、电信、服务器和太阳能。