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STW12N120K5

Name: STMicroelectronics STW12N120K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW12N120K5
Price: 82.79 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STW12N120K5

制造商编号：

STW12N120K5

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package

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数据表:

STW12N120K5 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	12 A
Rds On-漏源导通电阻:	690 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	44.2 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	250 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
系列:	STW12N120K5
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
单位重量:	6 g

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数据表

STW12N120K5 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 新加坡
组装原产国/地区:: 新加坡
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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