STW12N170K5

Name: STMicroelectronics STW12N170K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW12N170K5
Price: 82.35 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STW12N170K5

制造商编号：

STW12N170K5

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

完成您的设计

数据表:

STW12N170K5 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解STMicroelectronics STW12N170K5详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.7 kV
Id-连续漏极电流:	5 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.9 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	37 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	250 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	51 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	7 ns
系列:	STx12
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	74 ns
典型接通延迟时间:	22 ns
单位重量:	6 g

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

STW12N170K5 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 意大利
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SuperMESH™ 高压 MOSFET

意法半导体 齐纳保护 SuperMESH™ 功率 MOSFETs 是对标准带式 PowerMESH™ 布线的终极优化。意法半导体 SuperMESH MOSFET 大幅压低了导通电阻，同时为要求最高的应用确保了非常好的 dv/dt 性能。SuperMESH 器件有最低限度的栅极电荷，并100% 通过雪崩测试，同时还改进了 ESD 功能，并具有新的高压基准。这些意法半导体 MOSFET 可用于开关应用。
了解更多