STW50N65DM2AG

Name: STMicroelectronics STW50N65DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW50N65DM2AG
Price: 56.73 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STW50N65DM2AG

制造商编号：

STW50N65DM2AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

完成您的设计

数据表:

STW50N65DM2AG 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解STMicroelectronics STW50N65DM2AG详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	38 A
Rds On-漏源导通电阻:	87 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	70 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	300 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	10.5 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	21 ns
系列:	STW50N65DM2AG
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	89 ns
典型接通延迟时间:	22.5 ns
单位重量:	6 g

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

STW50N65DM2AG 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 MOSFETs

STMicroelectronics Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 Power MOSFETs are high-voltage with very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low R_DS(on). They are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.