TSG65N190CR RVG

Taiwan Semiconductor
821-TSG65N190CRRVG
TSG65N190CR RVG

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 650V, 11A, PDFN56, E-mode GaN Transistor

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 2,993

库存：
2,993 可立即发货
生产周期：
30 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于2993的订购须受最低订购要求的限制。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥81.1453 ¥81.15
¥55.9124 ¥559.12
¥41.6066 ¥4,160.66
¥37.2222 ¥18,611.10
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥37.2222 ¥111,666.60
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Taiwan Semiconductor
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
PDFN-6
N-Channel
1 Channel
650 V
11 A
190 mOhms
- 7 V, + 7 V
2.6 V
2.2 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
商标: Taiwan Semiconductor
配置: Single
下降时间: 10 ns
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品类型: GaN FETs
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
技术: Si
典型关闭延迟时间: 8 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
零件号别名: TSG65N190CR
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已选择的属性: 0

数据表

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TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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