2N7002LDBVR

Texas Instruments
595-2N7002LDBVR
2N7002LDBVR

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说明：
MOSFET N-channel 5V enhance ment mode field effe

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Texas Instruments
产品种类: MOSFET
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RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
6 V
1.4 A
3 Ohms
7 V
950 mV
34 pC
- 40 C
+ 125 C
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 55 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 1.1 ns
系列: 2N7002L
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
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数据表

合规代码
TARIC:
8541290000
原产地分类
原产国:
不可用
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

2N7002L 6V N沟道MOSFET

Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持快速的开关性能。这些MOSFET是塑料封装场效应晶体管，具有低栅极阈值电压和低输入电容。2N7002L N沟道MOSFET的漏源电压为6V，栅源电压为7V，源极电流为1.4A，脉冲漏极电流为1.43A（tp = 1s）。这些MOSFET的工作温度范围为-65°C至150°C，焊接时的引线温度可达260°C。典型应用包括个人电子设备、楼宇自动化和工业自动化。

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