Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持快速的开关性能。这些MOSFET是塑料封装场效应晶体管，具有低栅极阈值电压和低输入电容。2N7002L N沟道MOSFET的漏源电压为6V，栅源电压为7V，源极电流为1.4A，脉冲漏极电流为1.43A（tp = 1s）。这些MOSFET的工作温度范围为-65°C至150°C，焊接时的引线温度可达260°C。典型应用包括个人电子设备、楼宇自动化和工业自动化。
特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速切换速度
- 栅源ESD额定值：2kV
应用
- 个人电子设备
- 楼宇自动化
- 工业自动化
规范
- 漏-源电压：6V
- 栅-源电压：7V
- 漏极电流：
- TA = 25°C时为1.4A
- TA = 85°C时为437mA
- 拉电流：1.4A
- 脉冲漏极电流：1.43A（tp = 1s）
- 焊接时引线温度：260°C
- 工作结温和存放温度范围：-65°C至150°C
简化框图
使用2N7002L的典型应用
发布日期: 2026-05-12
| 更新日期: 2026-05-18