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CSD13381F4

Name: Texas Instruments CSD13381F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13381F4
Price: 2.64 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

595-CSD13381F4

制造商编号：

CSD13381F4

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 12V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD13381F4T A 595-CSD13381F4T

数据表:

CSD13381F4 数据表

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥2.9832	¥2.98
	¥2.2261	¥22.26
	¥1.2656	¥126.56
	¥0.86897	¥434.49
	¥0.68704	¥687.04
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥0.56274	¥1,688.22
	¥0.48816	¥2,928.96
	¥0.42149	¥3,793.41
	¥0.39663	¥9,519.12

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD13381F4T

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥3.39

最小:

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制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD13381F4T

说明：

MOSFET 12V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD13381 A 595-CSD13381F4

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PICOSTAR-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	12 V
Id-连续漏极电流:	2.1 A
Rds On-漏源导通电阻:	180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	650 mV
Qg-栅极电荷:	1.06 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	500 mW
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
下降时间:	3.8 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	1.5 ns
系列:	CSD13381F4
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel FemtoFET MOSFET
典型关闭延迟时间:	11 ns
典型接通延迟时间:	3.7 ns
单位重量:	0.400 mg

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已选择的属性: 0

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FemtoFET 功率 MOSFET

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