CSD17307Q5A

Texas Instruments
595-CSD17307Q5A
CSD17307Q5A

制造商:

说明:
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 4,599

库存:
4,599 可立即发货
生产周期:
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥9.8423 ¥9.84
¥6.215 ¥62.15
¥4.0906 ¥409.06
¥3.1979 ¥1,598.95
¥2.8815 ¥2,881.50
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)
¥2.5764 ¥6,441.00
¥2.2713 ¥11,356.50
¥2.147 ¥21,470.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSONP-8
N-Channel
1 Channel
30 V
73 A
10.5 mOhms
- 8 V, 8 V
900 mV
4 nC
- 55 C
+ 150 C
3 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
开发套件: TPS51123EVM-399, TPS40195EVM-001, TPS51116EVM-001, TPS51125EVM, TPS51220EVM
下降时间: 2.6 ns
正向跨导 - 最小值: 66 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 6.7 ns
系列: CSD17307Q5A
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 9.3 ns
典型接通延迟时间: 4.6 ns
单位重量: 100 mg
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99

NexFET N通道功率MOSFET

Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩,采用SON 5mm x 6mm塑料封装。

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷,以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻,只需极低的栅极电荷,且需要采用行业标准封装外形,这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。