您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

CSD17307Q5A

Name: Texas Instruments CSD17307Q5A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17307Q5A
Price: 8.78 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

595-CSD17307Q5A

制造商编号：

CSD17307Q5A

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET

数据表:

CSD17307Q5A 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Texas Instruments CSD17307Q5A详情

库存量: 1,908

库存：: 1,908 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 12 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥9.9214	¥9.92
	¥6.2263	¥62.26
	¥4.1019	¥410.19
	¥3.1979	¥1,598.95
	¥2.8928	¥2,892.80
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥2.5651	¥6,412.75
	¥2.4521	¥12,260.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VSONP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	73 A
Rds On-漏源导通电阻:	10.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	900 mV
Qg-栅极电荷:	4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	3 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
开发套件:	TPS51123EVM-399, TPS40195EVM-001, TPS51116EVM-001, TPS51125EVM, TPS51220EVM
下降时间:	2.6 ns
正向跨导 - 最小值:	66 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6.7 ns
系列:	CSD17307Q5A
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	9.3 ns
典型接通延迟时间:	4.6 ns
单位重量:	100 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

SPICE Models

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。