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CSD17510Q5A

Name: Texas Instruments CSD17510Q5A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17510Q5A
Price: 13.03 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

595-CSD17510Q5A

制造商编号：

CSD17510Q5A

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 30V NChannel Lo Side NexFET Pwr MOSFET A A 595-CSD17577Q5A

数据表:

CSD17510Q5A 数据表

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预期 2026/4/29
生产周期：: 12

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥14.7239	¥14.72
	¥9.4242	¥94.24
	¥6.2263	¥622.63
	¥4.9155	¥2,457.75
	¥4.4635	¥4,463.50
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥4.0906	¥10,226.50
	¥3.616	¥18,080.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD17577Q5A

说明：

MOSFET 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17577Q5AT

与当前部分进行比较

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VSONP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	100 A
Rds On-漏源导通电阻:	7.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.5 V
Qg-栅极电荷:	6.4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	3 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
正向跨导 - 最小值:	59 S
产品类型:	MOSFETs
系列:	CSD17510Q5A
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
单位重量:	85.100 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

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