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CSD17579Q5AT

Name: Texas Instruments CSD17579Q5AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17579Q5AT
Price: 15.15 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

595-CSD17579Q5AT

制造商编号：

CSD17579Q5AT

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17579Q5A

数据表:

CSD17579Q5AT 数据表

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库存量: 259

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按250的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥17.1195	¥17.12
	¥10.9158	¥109.16
	¥6.4071	¥640.71
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
	¥6.4071	¥1,601.78
	¥5.5144	¥2,757.20
	¥4.9833	¥4,983.30
	¥4.8025	¥12,006.25
	¥4.7347	¥23,673.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD17579Q5A

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥8.1021

最小:

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制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD17579Q5A

说明：

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17579Q5AT

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VSONP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	25 A
Rds On-漏源导通电阻:	11.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	15.1 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	36 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	1 ns
正向跨导 - 最小值:	36 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	7 ns
系列:	CSD17579Q5A
工厂包装数量:	250
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	13 ns
典型接通延迟时间:	3 ns
单位重量:	24 mg