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CSD18511KCS

Name: Texas Instruments CSD18511KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18511KCS
Price: 16.25 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

595-CSD18511KCS

制造商编号：

CSD18511KCS

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 40-V N channel NexF ET power MOSFET si

数据表:

CSD18511KCS 数据表

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数量	单价	总价
	¥18.3625	¥18.36
	¥9.0174	¥90.17
	¥8.0343	¥803.43
	¥6.4071	¥3,203.55
	¥5.4466	¥5,446.60
	¥5.0511	¥25,255.50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	194 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.5 V
Qg-栅极电荷:	64 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	188 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
下降时间:	3 ns
正向跨导 - 最小值:	249 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6 ns
系列:	CSD18511KCS
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	17 ns
典型接通延迟时间:	8 ns
单位重量:	2 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

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