您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

CSD18514Q5AT

Name: Texas Instruments CSD18514Q5AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18514Q5AT
Price: 11.64 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

595-CSD18514Q5AT

制造商编号：

CSD18514Q5AT

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18514Q5A

数据表:

CSD18514Q5AT 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Texas Instruments CSD18514Q5AT详情

库存量: 19,176

库存：: 19,176 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 6 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按250的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥13.1532	¥13.15
	¥10.17	¥101.70
	¥6.1133	¥611.33
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
	¥6.1133	¥1,528.33
	¥5.0511	¥2,525.55
	¥4.7686	¥4,768.60

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD18514Q5A

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥10.4186

最小:

类似产品

制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD18514Q5A

说明：

MOSFET 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18514Q5AT

与当前部分进行比较

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VSONP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	50 A
Rds On-漏源导通电阻:	6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.5 V
Qg-栅极电荷:	38 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	74 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
下降时间:	6 ns
正向跨导 - 最小值:	59 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	22 ns
系列:	CSD18514Q5A
工厂包装数量:	250
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	14 ns
典型接通延迟时间:	13 ns
单位重量:	84.200 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET N通道功率MOSFET

Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩，采用SON 5mm x 6mm塑料封装。

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。