CSD18535KCS

Texas Instruments
595-CSD18535KCS
CSD18535KCS

制造商：

说明：
MOSFET 60-V N channel NexF ET power MOSFET si

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 1

库存：
1
可立即发货
在途量:
950
预期 2026/7/30
1,200
预期 2026/8/20
生产周期：
16
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥34.0017 ¥34.00
¥17.289 ¥172.89
¥15.6279 ¥1,562.79
¥12.7351 ¥6,367.55
¥12.1588 ¥12,158.80

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
279 A
2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.4 V
63 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
NexFET
Tube
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 3 ns
正向跨导 - 最小值: 263 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 3 ns
系列: CSD18535KCS
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

数据表

Images

SPICE Models

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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
中国
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