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CSD18563Q5AT

Name: Texas Instruments CSD18563Q5AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18563Q5AT
Price: 11.42 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

595-CSD18563Q5AT

制造商编号：

CSD18563Q5AT

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18563Q5A

数据表:

CSD18563Q5AT 数据表

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按250的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥12.9046	¥12.90
	¥10.17	¥101.70
	¥6.2828	¥628.28
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
	¥6.2828	¥1,570.70
	¥5.4466	¥2,723.30
	¥5.3562	¥5,356.20

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD18563Q5A

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥16.2155

最小:

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制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD18563Q5A

说明：

MOSFET 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18563Q5AT

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VSONP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	100 A
Rds On-漏源导通电阻:	6.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.7 V
Qg-栅极电荷:	15 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	116 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
开发套件:	TPS40170EVM-597
下降时间:	1.7 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6.3 ns
系列:	CSD18563Q5A
工厂包装数量:	250
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	11.4 ns
典型接通延迟时间:	3.2 ns
单位重量:	86.200 mg

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已选择的属性: 0

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NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。