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CSD19503KCS

Name: Texas Instruments CSD19503KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19503KCS
Price: 19.69 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

595-CSD19503KCS

制造商编号：

CSD19503KCS

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET

数据表:

CSD19503KCS 数据表

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数量	单价	总价
	¥22.2497	¥22.25
	¥11.2548	¥112.55
	¥10.0909	¥1,009.09
	¥8.1473	¥4,073.65
	¥6.9834	¥6,983.40
	¥6.7348	¥33,674.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	100 A
Rds On-漏源导通电阻:	9.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.8 V
Qg-栅极电荷:	28 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	188 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Tube
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
下降时间:	2 ns
正向跨导 - 最小值:	110 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	3 ns
系列:	CSD19503KCS
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	11 ns
典型接通延迟时间:	7 ns
单位重量:	2 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

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