CSD19533KCS

Texas Instruments
595-CSD19533KCS
CSD19533KCS

制造商：

说明：
MOSFET 100V 8.7mOhm N-CH Pw r MOSFET

数据表:
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在途量:
2,058
预期 2026/3/3
生产周期：
12
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥20.2609 ¥20.26
¥10.17 ¥101.70
¥9.0965 ¥909.65
¥7.3337 ¥3,666.85
¥6.2602 ¥6,260.20
¥5.9325 ¥29,662.50

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
100 A
10.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
27 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
NexFET
Tube
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 2 ns
正向跨导 - 最小值: 115 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5 ns
系列: CSD19533KCS
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 12 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

数据表

Images

PCN

SPICE Models

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

NexFET N通道功率MOSFET

Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩，采用SON 5mm x 6mm塑料封装。

NexFET™功率MOSFET

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