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CSD19534KCS

Name: Texas Instruments CSD19534KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19534KCS
Price: 16.32 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

595-CSD19534KCS

制造商编号：

CSD19534KCS

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 100V N-Channel NexFE T Pwr MOSFET

数据表:

CSD19534KCS 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	100 A
Rds On-漏源导通电阻:	16.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.4 V
Qg-栅极电荷:	16.4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	118 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Tube
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
下降时间:	1 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2 ns
系列:	CSD19534KCS
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	9 ns
典型接通延迟时间:	6 ns
单位重量:	2 g

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SPICE Models

Technical Resources

CSD19534KCS TINA-TI Reference Design

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854239099
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 中国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。