您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

CSD19538Q3AT

Name: Texas Instruments CSD19538Q3AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19538Q3AT
Price: 12.44 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

595-CSD19538Q3AT

制造商编号：

CSD19538Q3AT

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3A

数据表:

CSD19538Q3AT 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Texas Instruments CSD19538Q3AT详情

库存量: 5,319

库存：: 5,319 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 12 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按250的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥14.0572	¥14.06
	¥9.6728	¥96.73
	¥5.9664	¥596.64
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
	¥5.9664	¥1,491.60
	¥5.0511	¥2,525.55
	¥4.5426	¥4,542.60
	¥4.4635	¥11,158.75
	¥4.1132	¥20,566.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD19538Q3A

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥8.1925

最小:

类似产品

制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD19538Q3A

说明：

MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3AT

与当前部分进行比较

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VSONP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	15 A
Rds On-漏源导通电阻:	61 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.2 V
Qg-栅极电荷:	4.3 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2.8 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
下降时间:	2 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	3 ns
系列:	CSD19538Q3A
工厂包装数量:	250
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	7 ns
典型接通延迟时间:	5 ns
单位重量:	27.300 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。