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CSD23202W10T

Name: Texas Instruments CSD23202W10T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD23202W10T
Price: 11.35 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

595-CSD23202W10T

制造商编号：

CSD23202W10T

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 12V PCH NexFET A 595 -CSD23202W10 A 595- A 595-CSD23202W10

数据表:

CSD23202W10T 数据表

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最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按250的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥12.8255	¥12.83
	¥8.1812	¥81.81
	¥3.842	¥384.20
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
	¥3.842	¥960.50
	¥3.4691	¥1,734.55
	¥3.1188	¥3,118.80
	¥3.1075	¥7,768.75

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD23202W10

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥5.1302

最小:

类似产品

制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD23202W10

说明：

MOSFET 12V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD23202W10T

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DSBGA-4
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	12 V
Id-连续漏极电流:	2.2 A
Rds On-漏源导通电阻:	92 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 6 V, 6 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	600 mV
Qg-栅极电荷:	2.9 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
下降时间:	21 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4 ns
系列:	CSD23202W10
工厂包装数量:	250
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	58 ns
典型接通延迟时间:	9 ns
单位重量:	1 mg

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已选择的属性: 0

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