CSD23285F5

Texas Instruments
595-CSD23285F5
CSD23285F5

制造商：

说明：
MOSFET -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23285F5T

数据表:
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库存量: 3,870

库存：
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生产周期：
6 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥5.2093 ¥5.21
¥3.1979 ¥31.98
¥2.0679 ¥206.79
¥1.5594 ¥779.70
¥1.3786 ¥1,378.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥1.1865 ¥3,559.50
¥1.06672 ¥6,400.32
¥0.93451 ¥8,410.59
¥0.88479 ¥21,234.96
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:
CSD23285F5T
包装:
Reel, Cut Tape, MouseReel
供货情况:
库存量
单价:
¥12.8255
最小:
1

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Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
P-Channel
1 Channel
12 V
3.3 A
80 mOhms
- 6 V, 6 V
950 mV
4.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1.4 W
Enhancement
PicoStar
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 最小值: 8.9 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5 ns
系列: CSD23285F5
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
单位重量: 0.700 mg
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已选择的属性: 0

数据表

Models

PCN

SPICE Models

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

FemtoFET 功率 MOSFET

德州仪器 FemtoFET 功率 MOSFET 具有超小占位面积（0402 外壳尺寸），并有超低电阻（与竞争产品相比低 70%）。这些 MOSFET 具有超低的 Qg, Qgd 规格，并有最优的 ESD 额定值。它们采用基板栅格阵列(LGA)封装。这种封装提高了硅含量，使其特别适合空间受限的应用。这些功率 MOSFET 具有低功耗和低开关损耗，提高了轻负载下的性能。这些器件的典型应用有手持设备、移动设备、负载开关、通用开关、电池应用等。
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