您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

CSD25211W1015

Name: Texas Instruments CSD25211W1015
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25211W1015
Price: 6.37 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

595-CSD25211W1015

制造商编号：

CSD25211W1015

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET PCh NexFET Power MOS FET

数据表:

CSD25211W1015 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Texas Instruments CSD25211W1015详情

库存量: 3,633

库存：: 3,633 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 6 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥7.1981	¥7.20
	¥4.4296	¥44.30
	¥2.8928	¥289.28
	¥2.4182	¥1,209.10
	¥2.1809	¥2,180.90
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥1.808	¥5,424.00
	¥1.5255	¥9,153.00
	¥1.356	¥12,204.00
	¥1.3108	¥31,459.20

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DSBGA-6
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	3.2 A
Rds On-漏源导通电阻:	44 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 6 V, 6 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	800 mV
Qg-栅极电荷:	3.4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
下降时间:	14.2 ns
正向跨导 - 最小值:	12 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	8.8 ns
系列:	CSD25211W1015
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	36.9 ns
典型接通延迟时间:	13.6 ns
单位重量:	1.700 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

CSD25211W1015 数据表

Images

PCN

SPICE Models

CSD25211W1015 PSPICE Model

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

NexFET P通道功率MOSFET

Texas Instruments NexFET P通道功率MOSFET外形极为纤薄，采用超小外形尺寸封装，设计用于实现尽可能低的导通电阻和栅极电荷，具有出色的散热特性。这些NexFET MOSFET具有超低导通电阻以及超低Qg和Qgd，外形尺寸仅为1.0mm x 1.5mm。

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。