您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

CSD86336Q3D

Name: Texas Instruments CSD86336Q3D
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD86336Q3D
Price: 14.93 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

595-CSD86336Q3D

制造商编号：

CSD86336Q3D

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 25-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD86336Q3DT

数据表:

CSD86336Q3D 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Texas Instruments CSD86336Q3D详情

库存量: 660

库存：: 660 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 16 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥16.8709	¥16.87
	¥10.8367	¥108.37
	¥7.2998	¥729.98
	¥5.7969	¥2,898.45
	¥5.3675	¥5,367.50
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥5.1076	¥12,769.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VSON-CLIP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	25 V
Id-连续漏极电流:	20 A
Rds On-漏源导通电阻:	9.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.1 V
Qg-栅极电荷:	3.8 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	6 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
下降时间:	2 ns
正向跨导 - 最小值:	40 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	10 ns
系列:	CSD86336Q3D
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	7 ns
典型接通延迟时间:	5 ns
单位重量:	99.500 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

CSD86336Q3D 数据表

SPICE Models

CSD863336Q3D PSpice Model (Rev. B)

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.