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CSD86356Q5D

Name: Texas Instruments CSD86356Q5D
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD86356Q5D
Price: 17.86 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

595-CSD86356Q5D

制造商编号：

CSD86356Q5D

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 25-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD86356Q5DT

数据表:

CSD86356Q5D 数据表

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥20.1818	¥20.18
	¥15.3002	¥153.00
	¥10.4186	¥1,041.86
	¥6.9382	¥3,469.10
	¥6.8026	¥6,802.60
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥5.7856	¥14,464.00
	¥5.5483	¥27,741.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VSON-CLIP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	25 V
Id-连续漏极电流:	40 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	950 mV
Qg-栅极电荷:	7.9 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	12 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
下降时间:	3 ns
正向跨导 - 最小值:	70 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	26 ns
系列:	CSD86356Q5D
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	PowerBlock
典型关闭延迟时间:	12 ns
典型接通延迟时间:	7 ns
单位重量:	119 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

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SPICE Models

CSD86356Q5D PSpice Model (Rev. A)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CSD86356Q5D同步降压NexFET电源块

Texas Instruments CSD86356Q5D同步降压NexFET™电源块提供高电流、高效率和高频性能，采用小型封装。CSD86356Q5D是一个经过优化的设计，用于同步降压和5V栅极驱动应用。该器件在25A时的系统效率为93%。CSD86356Q5D是一套灵活的解决方案，结合外部控制器/驱动器的任何5V栅极驱动时能够提供高密度电源。