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CSD87588NT

Name: Texas Instruments CSD87588NT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87588NT
Price: 11.57 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

595-CSD87588NT

制造商编号：

CSD87588NT

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET Sync Buck NexFET Pwr Block II A 595-CSD8 A 595-CSD87588N

数据表:

CSD87588NT 数据表

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按250的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥13.0741	¥13.07
	¥8.6897	¥86.90
	¥6.3167	¥631.67
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
	¥6.3167	¥1,579.18
	¥5.9438	¥2,971.90
	¥5.7291	¥5,729.10
	¥5.65	¥14,125.00
	¥5.5709	¥55,709.00
25,000	报价

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD87588N

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥9.8423

最小:

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制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD87588N

说明：

MOSFET Sync Buck NexFET Pow er Block II A 595-C A 595-CSD87588NT

与当前部分进行比较

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PTAB-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	25 A
Rds On-漏源导通电阻:	10.4 mOhms, 3.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.9 V
Qg-栅极电荷:	3.2 nC, 13.7 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	6 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Dual
下降时间:	5 ns, 6.3 ns
正向跨导 - 最小值:	43 S, 93 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	31.6 ns, 36.7 ns
系列:	CSD87588N
工厂包装数量:	250
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	10.2 ns, 20.1 ns
典型接通延迟时间:	7.3 ns, 12.1 ns
单位重量:	54.600 mg

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已选择的属性: 0

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。

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Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.