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现货

RoHS

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FCPF150N65F

onsemi

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请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FCPF150N65F

制造商编号：

FCPF150N65F

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET

数据表:

FCPF150N65F 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	24 A
Rds On-漏源导通电阻:	150 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	94 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	39 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	onsemi
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
系列:	FCPF150N65F
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
单位重量:	2 g

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筛选文档:

数据表

FCPF150N65F 数据表

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ONSEMI

NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET

具有低RDS_(on)和低栅极阈值，且集成ESD保护。

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NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET

针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。

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NTMFD0D9N02P1E MOSFET

一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。

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NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET

专为紧凑高效的设计打造，兼具卓越的热性能。

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NVBYST0D6N08X 80V N沟道功率MOSFET

该器件具有低Q_RR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。

了解更多的信息

库存量: 950

库存：: 950 可立即发货

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生产周期：: 53 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥54.5112	¥54.51
	¥29.1992	¥291.99
	¥26.6341	¥2,663.41
	¥26.3855	¥13,192.75