FCPF400N80Z

Name: onsemi FCPF400N80Z
Brand: onsemi
SKU: 512-FCPF400N80Z
Price: 37.33 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

512-FCPF400N80Z

制造商编号：

FCPF400N80Z

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET

数据表:

FCPF400N80Z 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	800 V
Id-连续漏极电流:	11 A
Rds On-漏源导通电阻:	400 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	56 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	35.7 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SuperFET II
封装:	Tube
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	15 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	34 ns
系列:	FCPF400N80Z
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	112 ns
典型接通延迟时间:	50 ns
单位重量:	2 g

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数据表

FCPF400N80Z 数据表

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SuperFET® II 功率 MOSFET

仙童 SuperFET® 功率 MOSFET 是新一代获取专利的高压 MOSFET 器件系列，采用了先进的电荷平衡机制，实现了出色的低导通电阻和更低栅极电荷的性能。这种先进的技术经过量身定制，可降低导通损耗、提供出色的开关性能、承受极端 dv/dt 比率和更高的雪崩能量。SuperFET® II MOSFET 适用于在交换模式操作下的各种交流/直流电源转换，实现系统的小型化和更高的效率。
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