FDMS3600S

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Mouser编号：

512-FDMS3600S

制造商编号：

FDMS3600S

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 25V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

寿命周期:

停产

数据表:

FDMS3600S 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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发货提醒：

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	Power-56-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	25 V
Id-连续漏极电流:	15 A, 30 A
Rds On-漏源导通电阻:	5.6 mOhms, 1.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.7 V, 3 V
Qg-栅极电荷:	19 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2.5 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	Power Stage PowerTrench SyncFet
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Dual
下降时间:	1.8 ns, 3.9 ns
正向跨导 - 最小值:	67 S, 171 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2 ns, 5.3 ns
系列:	FDMS3600S
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	19 ns, 38 ns
典型接通延迟时间:	7.9 ns, 13 ns
单位重量:	171 mg

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数据表

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EOL

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 墨西哥
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Power Trench MOSFETs EXPANSION

ON Semiconductor has expanded its line of Power Trench MOSFETs to offer different drain-to-source voltages, drain current and R_DS(ON). Additional features in this expansion of the ON Semiconductor Power Trench® MOSFETs include advanced package and silicon combination for low R_DS(ON) and high efficiency, thermally efficient packages, and next generation enhanced body diode technology engineered for soft recovery. Applications for these Power Trench® MOSFETs include synchronous rectifiers for DC/DC converters, notebook or networking low side switch, telecom secondary side rectification, load switches, and many more.
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ON Semiconductor offers both N-Channel and P-Channel versions of MOSFETs using their advanced Power Trench process that has been optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness.
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