FGHL75T65LQDTL4

Name: onsemi FGHL75T65LQDTL4
Brand: onsemi
SKU: 863-FGHL75T65LQDTL4
Price: 51.39 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-FGHL75T65LQDTL4

制造商编号：

FGHL75T65LQDTL4

制造商：

onsemi

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE

数据表:

FGHL75T65LQDTL4 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-4
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.15 V
栅极/发射极最大电压:	20 V
在25 C的连续集电极电流:	80 A
Pd-功率耗散:	469 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	FGHL75T65LQDTL4
封装:	Tube
商标:	onsemi
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	30
子类别:	IGBTs

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数据表

FGHL75T65LQDTL4 数据表

PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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